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上海百图氮化铝粉工艺图目录
氮化铝粉是一种广泛应用于电子陶瓷、耐火材料、散热材料、陶瓷增韧剂等领域的重要原料。在电子陶瓷领域，氮化铝粉具有优异的电绝缘性和高温稳定性，是制造电子器件和集成电路封装材料的重要原料。在耐火材料领域，氮化铝粉具有极高的熔点和化学稳定性，是制造高级耐火材料和高温炉具的重要原料。在散热材料领域，氮化铝粉具有良好的导热性能和较小的热膨胀系数，是制造高效散热器和电子元件散热模块的重要原料。在陶瓷增韧剂领域，氮化铝粉能够显著提高陶瓷材料的韧性和抗冲击性能，是制造高级陶瓷刀具和陶瓷轴承等高附加值产品的关键原料。
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氮化铝是一种综合性能优良的陶瓷材料。
氮化铝（AlN）是一种六方纤锌矿结构的共价键化合物，晶格参数为a＝3.114，c＝4.986。
纯氮化铝呈蓝白色，通常为灰色或灰白色，是典型的III-Ⅴ族宽禁带半导体材料。
氮化铝（AlN）具有高强度、高体积电阻率、高绝缘耐压、热膨胀系数、与硅匹配好等特性，不但用作结构陶瓷的烧结助剂或增强相，尤其是在近年来大火的陶瓷电子基板和封装材料领域，其性能远超氧化铝。
氮化铝粉体的制备工艺主要有直接氮化法和碳热还原法，此外还有自蔓延合成法、高能球磨法、原位自反应合成法、等离子化学合成法及化学气相沉淀法等。
氮化铝的发展
由于氮化铝是共价化合物，自扩散系数小，熔点高，导致其难以烧结，直到20世纪50年代，人们才首次成功制得氮化铝陶瓷，并作为耐火材料应用于纯铁、铝以及铝合金的熔炼。
自20世纪70年代以来，随着研究的不断深入，氮化铝的制备工艺日趋成熟，其应用范围也不断扩大。
尤其是进入21世纪以来，随着微电子技术的飞速发展，电子整机和电子元器件正朝着微型化、轻型化、集成化，以及高可靠性和大功率输出等方向发展，越来越复杂的器件对基片和封装材料的散热提出了更高要求，进一步促进了氮化铝产业的蓬勃发展。
中文名称:氮化铝
拼音:danhualv
英文名称：alumin(i)um nitride
分子式:AlN
分子量:40.99
密度:3.235g/cm3
说明:AlN属类金刚石氮化物，最高可稳定到2200℃。
室温强度高，且强度随温度的升高下降较慢。
导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。
抗熔融金属侵蚀的能力强，是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。
氮化铝还是电绝缘体，介电性能良好，用作电器元件也很有希望。
砷化镓表面的氮化铝涂层，能保护它在退火时免受离子的注入。
氮化铝还是由六方氮化硼转变为立方氮化硼的催化剂。
室温下与水缓慢反应.可由铝粉在氨或氮气氛中800~1000℃合成，产物为白色到灰蓝色粉末。
或由Al2O3-C-N2体系在1600~1750℃反应合成，产物为灰白色粉末。
或氯化铝与氨经气相反应制得.涂层可由AlCl3-NH3体系通过气相沉积法合成。
1.氮化铝粉末纯度高，粒径小，活性大，是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。
2.氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。
工艺路线：氮化铝粉末采用碳热还原氮化法；高导热氮化铝陶瓷基片采用氛常压烧结法。
