用作大功率半导体器件的绝缘基片、大规模和超大规模集成电路的散热基片、锂电池内部的隔板材料、切削工具、封装材料、高温润滑剂、热散板及粘结剂等。
制造集成电路基板、电子器件、光学器件、散热器、高温坩锅；制备金属基及高分子基复合材料，特别是在高温密封胶粘剂和电子封装材料中有极好的应用前景...

导热填料：如金属、陶瓷及石墨基复合材料，橡胶、塑胶、涂料、胶粘剂及其它高分子基复合材料。

1) 用于导热膏、导热硅脂的高导热填料；
2) 用于导热胶、导热硅胶片、环氧树脂导热灌封胶的高导热填料；
3) 用于导热工程塑料的高导热填料；
4) 用于定影膜、聚酰亚胺薄膜高导热填料； 
5) 用于封装材料、高温润滑剂、粘结剂、散热油漆，散热油墨的高导热填料；
6) 用于制造高导热的集成电路基板（MCPCB、FCCL）的绝缘及导热填料；

7) 用于导热界面材料（TIM）的高导热填料；

8) 用于坩埚金属熔炼、蒸发舟、陶瓷刀具、切削工具、微波介电材料；
9) 用于制造高导热的氮化铝陶瓷基板，氮化铝靶材，以及各种陶瓷制品；

10) 用于导电陶瓷蒸发舟，可以与二硼化钛，氮化硼等材料复合；

氮化铝为灰白色正交晶系或六方晶系结晶，在湿空气中有氨味。熔点2200℃(0.45MPa、氮气流中)，沸点(分解)，莫氏硬度9～10度。室温下强度高，随温度的升高，强度下降，弯曲强度30～40Pa。遇水分解为氢氧化铝和氨：AIN+3H2O→NH3+AL(OH)3
本品导热性好，膨胀系数小，抗熔融金属的腐蚀能力强，电绝缘性优良，介电性好。

制备：

①在氮气流中加热铝土矿和焦炭。
AL2O3+3C+N2→2AIN+3CO
②在150℃将高纯铝脱脂后，放入镍盘中，置于石英反应管中，在纯氮气流中加热至820℃ 左右，激烈反应，反应完毕，继续在氮气流中冷却，由于产品中有未反应的铝，粉碎后，再次在氮气流中加热至1100～1200℃，反应完毕，可制得。
③将三氯化铝合氨(AlCl3·NH3)在氮气流中进行热分解，也可制得。
④纯铝粉和氨气在800～1000℃下合成。
⑤以碳化铝为原料，在氮气流中加热，可制得。